Technical Specifications

• Dải bước sóng: 475 - 650 nm
• Chế độ công suất cao có thể chuyển đổi: Có
• Thông số kỹ thuật hiệu suất suy giảm độ nhiễu
• Ổn định công suất đầu ra (a): ± 0,05% (RMS)
• Dải tần số suy giảm độ nhiễu (b): DC - 1,8 kHz
• Phạm vi biên độ suy giảm độ nhiễu: 0,1% đến 50% tín hiệu đầu vào
• Hệ số suy giảm độ nhiễu (c):> 150 ở 10 Hz, 80 ở 60 Hz. 20 ở 400 Hz, 4 ở 1 kHz
• Phạm vi suy giảm công suất đầu ra hiệu quả (d): 1 - 40
• Ngưỡng thiệt hại chặn phân cực bên trong (Suy hao công suất tối đa): 10 W/cm^2
• Kiểm soát suy hao: Chiết áp tích hợp (10 vòng quay) hoặc SMA Modulation Input
• Thông số kỹ thuật quang học
• Truyền phát: >80% at 635 nm
• Chuyển đổi mức công suất: High/Low Power Mode Switch and Four Position Power Range Switch
• Công suất đầu vào tối thiểu: 0,5 mW
• Tỷ lệ suy giảm phân cực ở đầu ra: > 1000: 1 trên phạm vi bước sóng
• Ngưỡng Thiệt hại (CW) (e): 8 W/cm^2
• Khẩu độ đầu vào: Ø5 mm
• Đường kính tia đầu vào (f): Ø4 mm (Tối đa)
• Độ dịch chuyển chùm tia đầu ra: 1 mm theo chiều dọc (theo hướng phân cực đầu vào)
• Phân kỳ chùm: 5 mrad (Tối đa)
• Góc nghiêng: ± 2° (Tối đa)
• Dung sai phân cực đầu vào: ± 3°
• Biến dạng mặt sóng: ≤λ / 4 ở 635 nm
• Lớp phủ AR: Ravg <0,5% từ 400 - 650 nm
• Thông số kỹ thuật hiệu suất điều biến
• Đầu vào điều biến: Đầu nối SMA, 0 - 2,5 V, Trở kháng đầu vào 10 kΩ
• Tỷ lệ suy giảm: 512,6
• Thời gian tăng / giảm tối thiểu (h): 0,65 ms / 7,3 ms
• Tốc độ lặp lại đầu vào laser xung: > 1 MHz
• Thông số kỹ thuật chung
• Tùy chọn gắn kết
• Hai lỗ bấm 8-32 (M4) để gắn bài
• Hệ thống lồng 30 mm Tương thích qua Tám lỗ 4-40
• Ống kính Ø1" Tương thích thông qua các sợi SM1 bên trong sâu 4 mm ở mặt sau
• Phạm vi nhiệt độ hoạt động: 15°C đến 45°Ca

Package Includes