Technical Specifications

• Loại cảm biến: CMOS tăng cường NIR
• Số lượng điểm ảnh hiệu dụng: 1280 x 1024 (H x V)
• Vùng hình ảnh: 6.144 mm x 4.915 mm (H x V)
• Kích thước điểm ảnh: 4,8 µm x 4,8 µm
• Định dạng quang học (a): 1/2 "(Đường chéo 7,76 mm)
• Tốc độ khung hình tối đa: 165,5 khung hình / giây (Cảm biến đầy đủ)
• ADC (b) Độ phân giải: 10 Bit
• Loại màn trập cảm biến: Toàn thể
• Ghi độ nhiễu: <7,0 e- RMS
• Công suất Full Well: ≥10 000 e-
• Thời gian phơi sáng: 0,100 ms đến 59269 ms trong 0,001 ms tăng
• Binning kỹ thuật số theo chiều dọc và chiều ngang (c): 1 x 1 đến 5 x 5
• Khu vực quan tâm (ROI): 16 x 2 pixel (d) đến 1280 x 1024 pixel, hình chữ nhật
• Dải động:> 60 dB
• Hiệu suất lượng tử đỉnh: 60% at 600 nm
• Quang học có thể tháo rời: Window, Ravg < 0.5% per Surface (650 - 1050 nm)
• Mức tiêu thụ nguồn USB: 3,85 W @ 165,5 khung hình / giây (ROI của cảm biến đầy đủ)
• Nhiệt độ hoạt động xung quanh: 10 °C đến 40 °C (Không ngưng tụ)
• Nhiệt độ bảo quản: 0 ° C đến 55 ° C

Package Includes